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关于2019年度集中科研人员需求发布

发布时间:2019-02-24 编辑:——
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微太中心2019年度制定集中科研计划共计18项,现诚邀院外各大高校、研究所在读硕士及博士研究生前来申请,现将相关岗位需求信息予以发布。请有意向且满足条件的在读研究生参照附件1内容,填写附件2中的个人申请表,投递至我们的邮箱。

期待你的加入!


附件:1、微太中心2019年度研究生集中科研计划需求

          2、微太中心研究生集中科研申请表


工作信息

1、工作地点:成都市双流区银河596园区

2、集中补贴:按中心相关文件标准执行

3、条件保障:提供办公室和职工宿舍


申请方式

1、申请表投递邮箱:zhaopin@mtrc.ac.cn

2、联系人:缪丽0816-2485062/18161008818


附件1

微太中心2019年度研究生集中科研计划汇总表

编号

集中科研

名称

工作要点及目标

合格标准

研究生主要资格

集中期限

1

固态传感器件设计与测试

1.仿真获得超声信号在不同介质负载中的传输规律;2.对超声固态传感器件进行仿真设计,性能分析及结构优化;3.获得固态传感器件多轮次流片的版图;4.测试超声固态传感器件的基本电学性能参数;5.获得超声固态传感器件的功能测试结果及规律;6.配合完成固态传感器件的结构优化设计的文献调研。

1.获得超声信号在介质内传输规律的仿真报告;2.获得超声固态传感器件的流片版图;3.获得超声固态传感器件结构设计的仿真分析报告;4.获得超声固态传感器件在空载以及带载情况下的测试结果总结及分析报告;5. 获得超声固态传感器件的功能验证结果及总结报告。

硕士研究生,要求具有一定的MEMS器件设计经验,包括仿真设计、流片版图设计、工艺设计、测试分析等。

2019.3-2019.10

2

系统SiP的多物理场仿真技术研究

1.参与完成电源SiP-1和倍压整流SiP的建模信息收集工作; 2.参与完成两款模块的材料参数测试;3.参与完成两款模块的3D多物理场仿真和寿命评估工作。

1.提交两款模块的信息收集报告;2.提交材料参数测试报告;3.提交3D多物理场仿真和寿命评估报告。

硕士研究生,要求具有一定的电学系统多物理场仿真工程经验,具备基本的电路设计、测试等能力。

2019.3-2019.6

3

基于宽禁带功率器件的马达驱动器电磁兼容特性的研究

1.碳化硅MOSFET的分析模型及电机高频模型的建立;2.碳化硅MOSFET驱动电路的优化与设计;3.基于碳化硅MOSFET的电机驱动系统的设计;4.基于碳化硅MOSFET电机驱动系统EMI的研究与分析。

1.获取碳化硅MOSFET分析模型建立的方法及电机高频建模方法;2.基于碳化硅MOSFET分析模型和电机高频模型,完成基于碳化硅MOSFET驱动电路和驱动系统的设计方案和实验验证;

3.根据设计方案和实验结果,获取驱动系统的EMI的仿真和实验分析报告。

硕士研究生以上学历,具有工作经历者优先,具有扎实的硬件电路设计能力,熟悉电磁兼容标准。

2019.3-2019.12

4

基于跨阻放大电路的飞法级微弱电容变化量检测技术研究

1.完成基于跨阻放大电路的微马达飞法级微弱电容变化量检测电路设计;2.完成检测电路指标测试及优化设计方案。

1.通过对微马达等效模型分析,获取基于跨阻放大电路微马达飞法级微弱电容变化量检测电路设计方案; 2.通过与微马达驱动电路联调,并与多普勒测试结果进行比较,获取检测电路优化设计方案,并提炼检测电路指标测试结果。

硕士研究生学历,具有扎实的硬件电路设计能力与嵌入式程序设计开发经验,熟悉微弱光电信号读出电路。

2019.3-2019.6

5

SiP拓扑结构与热优化

1.基于三维异构集成SiP的拓扑结构版图进行布局布线优化;2.配合完成SiP结构优化设计的文献调研;3.利用有限元仿真软件建立三维SiP系统的SI/PI分析方法;4.进行多场条件下散热设计与焊接面寿命评估。

1.获得基于电源SiP优化后的拓扑结构布局,完成全波仿真计算方法;2.建立电源SiP散热模型,完成SiP模块在多场环境下仿真设计并评估焊接面寿命。

硕士研究生以上学历,具备电子学与物理相关专业背景优先,可以应用ANSYS等仿真软件进行的热设计仿真与设计方案优化。

2019.4-2019.12

6

氮化物门结构应变响应器件的设计和工艺开发

1、理论设计氮化物门结构,研究不同应变下,门结构的电流响应曲线。优化结构参数,获得最佳的应变-电流响应;2、利用磁控溅射,电子束曝光等自上而下的加工手段,制备设计的门结构器件并表征其灵敏度和功耗情况;3、理论实验迭代,获得高灵敏度-低功耗的门结构器件。

1.理论设计氮化物门结构,获得最优化结构方案;2.参与工艺开发,获得工艺开发参数,制备出器件样片;3.进行工艺优化和器件灵敏度、低功耗等特性改良;4.进行器件测试并撰写课题总结报告。

要求硕士或博士研究生,熟练掌握理论计算(matlab)、实验仿真(Comsol)、数据挖掘及处理(orginlab,3D Max, photoshop)等能力,了解压电电子学学科前沿,了解洁净室的工作要求和相关工艺设备原理,具备文献调研与科研报告总结能力。

2019.4-2019.9

7

基于SiGe工艺的毫米波频率源芯片研究

1.基于SiGe工艺实现W波段VCO;2.基于SiGe工艺实现W波段分频链;3.基于SiGe工艺实现PFD/CP/Loop Filter。

1.W波段VCO工作频率覆盖92-96GHz;2.W波段分频链分频比可编程;3.PFD无死区;4.CP上下电流失配优于1%。

在读硕士研究生或博士研究生,有锁相环芯片设计与流片测试经验,熟练应用Cadence/HFSS/ADS等软件。

2019.3-2019.12

8

基于SiGe工艺和BCB工艺的三维封装-芯片联合设计研究

基于商用SiGe工艺和上海交大BCB工艺实现W波段LNA/PA/Mixer/Multiplier的三维封装-芯片联合设计研究。

基于商用SiGe工艺和上海交大BCB工艺实现W波段LNA/PA/Mixer/Multiplier的三维封装-芯片联合设计、流片与测试验证,初步掌握三维集成芯片-封装联合设计的流程,为后续大规模三维集成打下基础。

在读硕士研究生或博士研究生,有毫米波芯片设计与流片测试经验,有三维集成相关经验,熟练应用Cadence/HFSS/ADS等软件。

2019.6-2019.12

9

基于SiGe工艺的毫米波片上天线研究

1.基于SiGe工艺实现W波段片上天线;2.基于SiGe工艺实现W波段可变增益放大器。

1.W波段片上天线/VCO工作频率覆盖92-96GHz;2.W波段可变增益放大器,增益可调精度<2 dB。

在读硕士研究生或博士研究生,有锁相环芯片设计与流片测试经验,熟练应用Cadence/HFSS/ADS等软件。

2019.7-2019.12

10

D波段射频前端中的键合线互连与可集成天线

1.优化D波段键合互连设计;2.完成互连加工与D波段实测验证;3.开展对D波段射频前端的可集成天线设计。

1.完成D波段键合线互连的匹配设计,达到插损小于2dB;

2.完成D波段可集成天线的调研和设计,工作带宽大于5GHz;

3.完成D波段测试,覆盖110~170GHz频段。

硕士。

2019.4-2019.5

11

考虑太赫兹微系统集成约束的TMIC设计与模型研究

1.研究集成约束下硅基TMIC的元器件模型;2.研究集成约束下200GHz以上硅基TMIC混频器的设计与系统级模型。

1.开展太赫兹微系统集成约束条件下的元器件模型研究,频率可覆盖100~500GHz;2.开展集成约束下硅基TMIC混频器模型与设计优化研究,工作频率大于200GHz。

硕士或博士。

2019.6-2019.7

12

基于微纳结构的太赫兹宽带偏振器件设计

研究基于双层微纳结构的太赫兹偏振器件,实现两种线偏振太赫兹波的转化,带宽大于10%。

完成结构设计总结PPT。

硕士。

2019.7-2019.8

13

SiC GTO器件结构设计与串并联特性研究

1.SiC GTO材料与结构参数仿真优化设计;2.仿真研究SiC GTO串并联条件下的静态和动态电学特性,研究器件参数偏差对动态均流均压的影响。

1.获得GTO各层材料结构参数与器件电学特性的依赖关系;2.明确GTO串并联应用在开通关断动态过程中的均流均压机制;3.撰写研究报告1份。提交相关仿真程序文件。

1.硕士研究生或博士研究生,具有半导体器件物理方向的专业背景,熟悉功率半导体器件的基本原理及应用环境;2.熟练掌握常用的TCAD半导体仿真软件。

2019.4-2019.6

14

GaN半桥驱动电路设计与仿真

1.基于商用100V/6A  GaN增强型器件 (EPC2007C)完成GaN半桥驱动电路结构设计和相关电路模块仿真;2.研究驱动电路各功能模块对工作频率、延迟时间、上升沿/下降沿等栅极驱动特性的影响。

1. 满足GaN半桥结构工作频率>500kHz;

2.满足GaN半桥驱动电路延迟时间<150ns;

3.满足GaN半桥栅极上升沿/下降沿时间<80ns。

在读硕士研究生或博士研究生,掌握扎实的电路设计基础知识,具有Si基或GaN基功率器件驱动电路设计和仿真经验。

2019.5-2019.9

15

SiC GTO器件高电流密度仿真设计

1.开展SiC GTO高压器件结构优化设计,提高SiC GTO的电流密度;2.基于SiC  PNPN外延材料参数结构,开展用于SiC GTO高压器件单片集成的小信号器件设计;3.开展兼容SiC GTO功率器件和小信号器件的功率集成技术研究。

1.获得提升SiC GTO高压器件电流密度的设计技术方案;2.完成用于SiC GTO单片集成的小信号器件结构设计和仿真验证;

3.在SPICE平台上完成兼容SiC GTO高压器件的单片集成电路设计和并集成电路的功能验证;撰写研究报告1份、提交相关仿真程序文件

1.博士研究生,具有半导体器件物理方向的专业背景,熟悉功率半导体器件的基本原理及应用环境;2.熟练掌握常用的TCAD半导体仿真软件。

2019.3-2019.5

16

多组分强刚性多物理场并行算法与器件电离损伤效应模拟测试

完成2019年度算法研究成果向中心研究人员输入,并根据中心研究人员给出的典型器件(MOS、双极BJT)完成器件电离损伤并行模拟测试。

1.进行两次口头汇报,详细汇报2019年度算法设计研究成果;2.根据中心研究人员制定的典型器件模拟算例(MOS、双极BJT),完成电离损伤效应并行模拟测试,并提交数值模拟测试报告。

博士研究生(在读);计算数学专业方向;掌握PHG平台并行编程技术。

2019.10-2019.11

17

氮化物纳米线H2传感器件仿真设计和制备

1.InGaN/AlGaN纳米线传感器件的仿真和设计,通过对纳米线的尺寸和形貌的设计以及引入表面等离激元等方法优化传感器的灵敏度;2.InGaN/AlGaN纳米线的生长,以及传感器件结构的制备,掌握控制纳米线长度,直径的工艺方法;3.H2传感性能的测试,通过和设计结构进行迭代,优化InGaN/AlGaN的组分配比,以及纳米线器件结构,获得最优化灵敏度。拟实现完备的工艺流程和原型器件的制备和性能标定。

1.完成InGaN/AlGaN纳米线传感器件仿真设计,给出最优的器件结构方案;

2. InGaN/AlGaN纳米线的生长,以及传感器件结构制备,实现完备的工艺流程;

3.获得小于100ppm灵敏度的氢气传感器,工作温度>100 °C。

1.本科以上学历(硕士以上学历优先),在读硕士活博士研究生;

2.半导体材料合成,半导体器件工艺,半导体器件测试经历;

3.具有外文文献阅读和写作能力,实验动手能力强。

2019.4-2019.9

18

冷原子光学平台搭建

1.辅助搭建冷原子系统中的光学部分;

2.初步完成冷原子实验光学平台的搭建。

光学系统正常工作。

1.冷原子物理相关专业的博士或者硕士研究生;2.熟悉激光器、光学元器件的使用;3.具有冷原子平台搭建经验。

2019.10-2019.11










附件2

微太中心研究生集中科研申请表

姓  名

性  别

申请人近照

出生年月

学  历

专业方向

身份证号码

高校或研究所名称

院系(科室)

导师姓名

联系方式(通讯地址、电话、邮箱)

申请课题名称

主要学习经历和工作经历(从大学起填)

1例如:**年**月-**年**月  ***学校****院校****专业,****学位;

2

3

集中科研计划概要(针对发布的工作内容、目标列出进度安排、可检查的成果)

1

2

3

4

适合承担本项工作的理由

1

2

3

4


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